收藏本站
型号 SI2305CDS-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
SI2305CDS-T1-GE3 PDF
代理商 SI2305CDS-T1-GE3
标准包装 3,000
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 8V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 5.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 35 毫欧 @ 4.4A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 30nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds 960pF @ 4V
功率 - 最大 1.7W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装 SOT-23-3（TO-236）
包装 带卷 (TR)
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
SI2305DS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3
SI2305DS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3
SI2305DS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3
SI2305DS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3
SI2306BDS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
SI2306BDS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
SI2306BDS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
SI2306BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
SI2306BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
SI2306BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
SI2307BDS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
SI2307BDS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
SI2307BDS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
SI2307BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
SI2307CDS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
SI2307CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
SI2307CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
SI2307CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
SI2308BDS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
SI2308BDS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3